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1N5402
1N5402
Modello di prodotti:
1N5402
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
12095 Pieces
Scheda dati:
1N5402.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1V @ 3A
Tensione - inversa (Vr) (max):200V
Contenitore dispositivo fornitore:DO-201AD
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:DO-201AA, DO-27, Axial
Altri nomi:1N5402OS
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 170°C
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:1N5402
Descrizione espansione:Diode Standard 200V 3A Through Hole DO-201AD
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Corrente - Dispersione inversa a Vr:10µA @ 200V
Corrente - raddrizzata media (Io):3A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Parti relative per 1N5402

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N5401G Image 1N5401G ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Inchiesta
1N5402RLG Image 1N5402RLG ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Inchiesta
1N5407 Image 1N5407 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Inchiesta
1N5408RL Image 1N5408RL ON Semiconductor DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Inchiesta
1N5407RL Image 1N5407RL ON Semiconductor DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Inchiesta
1N5406RLG Image 1N5406RLG ON Semiconductor DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Inchiesta
1N5408 Image 1N5408 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Inchiesta
1N5401 Image 1N5401 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Inchiesta
1N5401RLG Image 1N5401RLG ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Inchiesta
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1N5406RL Image 1N5406RL ON Semiconductor DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Inchiesta
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