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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N5406-T
1N5406-T
1N5406-T
Modello di prodotti:
1N5406-T
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12593 Pieces
Scheda dati:
1N5406-T.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1V @ 3A
Tensione - inversa (Vr) (max):600V
Contenitore dispositivo fornitore:DO-201AD
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DO-201AD, Axial
Altri nomi:1N5406DITR
1N5406T
1N5406TR
1N5406TR-ND
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:1N5406-T
Descrizione espansione:Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Corrente - Dispersione inversa a Vr:10µA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io):3A
Capacità a Vr, F:25pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

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Parti relative per 1N5406-T

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N5407-T Image 1N5407-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Inchiesta
1N5404-B Image 1N5404-B Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD Inchiesta
1N5404-T Image 1N5404-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD Inchiesta
1N5401-T Image 1N5401-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD Inchiesta
1N5406-B Image 1N5406-B Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Inchiesta
1N5408-T Image 1N5408-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Inchiesta
1N5402G-T Image 1N5402G-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Inchiesta
1N5400G-T Image 1N5400G-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD Inchiesta
1N5400-T Image 1N5400-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD Inchiesta
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