Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N5408-B
1N5408-B
1N5408-B
Modello di prodotti:
1N5408-B
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15786 Pieces
Scheda dati:
1N5408-B.pdf
Inchiesta

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per 1N5408-B, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per 1N5408-B via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare 1N5408-B con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1V @ 3A
Tensione - inversa (Vr) (max):1000V (1kV)
Contenitore dispositivo fornitore:DO-201AD
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:DO-201AD, Axial
Altri nomi:1N5408-BDI
1N5408B
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:1N5408-B
Descrizione espansione:Diode Standard 1000V (1kV) 3A Through Hole DO-201AD
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Corrente - Dispersione inversa a Vr:10µA @ 1000V
Corrente - raddrizzata media (Io):3A
Capacità a Vr, F:25pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per 1N5408-B

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N5404-B Image 1N5404-B Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD Inchiesta
1N5407G-T Image 1N5407G-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Inchiesta
1N5402G-T Image 1N5402G-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Inchiesta
1N5401G-T Image 1N5401G-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Inchiesta
1N5408-T Image 1N5408-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Inchiesta
1N5404-T Image 1N5404-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD Inchiesta
1N5401-B Image 1N5401-B Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD Inchiesta
1N5400G-T Image 1N5400G-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD Inchiesta
1N5402-B Image 1N5402-B Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Inchiesta
1N5406G-T Image 1N5406G-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Inchiesta
1N5407-T Image 1N5407-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Inchiesta
1N5408G-T Image 1N5408G-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Inchiesta
1N5400-B Image 1N5400-B Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD Inchiesta
1N5401-T Image 1N5401-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD Inchiesta
1N5406-B Image 1N5406-B Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Inchiesta
1N5407-B Image 1N5407-B Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Inchiesta
1N5400-T Image 1N5400-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD Inchiesta
1N5406-T Image 1N5406-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Inchiesta

Latest Notizie