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1N6621
1N6621
Modello di prodotti:
1N6621
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
19396 Pieces
Scheda dati:
1N6621.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.4V @ 1.2A
Tensione - inversa (Vr) (max):440V
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):30ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:A, Axial
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:17 Weeks
codice articolo del costruttore:1N6621
Descrizione espansione:Diode Standard 440V 1.2A Through Hole
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL
Corrente - Dispersione inversa a Vr:500nA @ 440V
Corrente - raddrizzata media (Io):1.2A
Capacità a Vr, F:10pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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Parti relative per 1N6621

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N6629 Image 1N6629 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL Inchiesta
1N6623 Image 1N6623 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL Inchiesta
1N6627 Image 1N6627 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6620US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF Inchiesta
1N6627US Image 1N6627US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF Inchiesta
1N6621US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF Inchiesta
1N6629US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF Inchiesta
1N6626US Image 1N6626US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF Inchiesta
1N6625E3 Image 1N6625E3 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Inchiesta
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