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1N6622
1N6622
Modello di prodotti:
1N6622
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19511 Pieces
Scheda dati:
1N6622.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.4V @ 1.2A
Tensione - inversa (Vr) (max):600V
Contenitore dispositivo fornitore:A-PAK
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):45ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:A, Axial
Altri nomi:Q1879386
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:17 Weeks
codice articolo del costruttore:1N6622
Descrizione espansione:Diode Standard 600V 1.2A Through Hole A-PAK
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL
Corrente - Dispersione inversa a Vr:500nA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io):1.2A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Parti relative per 1N6622

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N6629 Image 1N6629 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL Inchiesta
1N6623US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF Inchiesta
1N6628 Image 1N6628 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6626US Image 1N6626US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF Inchiesta
1N6625 Image 1N6625 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Inchiesta
1N6621US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF Inchiesta
1N6624US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF Inchiesta
1N6625US Image 1N6625US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF Inchiesta
1N6625E3 Image 1N6625E3 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Inchiesta
1N6628US Image 1N6628US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF Inchiesta
1N6620US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF Inchiesta
1N6629US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF Inchiesta
1N6621 Image 1N6621 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL Inchiesta
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1N6624 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK Inchiesta
1N6627 Image 1N6627 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6627US Image 1N6627US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF Inchiesta
1N6622US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF Inchiesta
1N6626 Image 1N6626 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6620 Image 1N6620 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL Inchiesta

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