2N6796U
Modello di prodotti:
2N6796U
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 18LCC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
16598 Pieces
Scheda dati:
2N6796U.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:18-ULCC (9.14x7.49)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:180 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):800mW (Ta), 25W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:18-BQFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:2N6796U
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.34nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 18LCC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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