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FQD2N100TM
- Modello di prodotti:
- FQD2N100TM
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18095 Pieces
- Scheda dati:
- 1.FQD2N100TM.pdf2.FQD2N100TM.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQD2N100TM, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQD2N100TM via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-Pak |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9 Ohm @ 800mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | FQD2N100TM-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 25 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FQD2N100TM |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 520pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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