2SK2847(F)
2SK2847(F)
Modello di prodotti:
2SK2847(F)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13012 Pieces
Scheda dati:
1.2SK2847(F).pdf2.2SK2847(F).pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3P(N)IS
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.4 Ohm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):85W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:2SK2847(F)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2040pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:58nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 900V 8A (Ta) 85W (Tc) Through Hole TO-3P(N)IS
Tensione drain-source (Vdss):900V
Descrizione:MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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