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ALD1110ESAL
- Modello di prodotti:
- ALD1110ESAL
- fabbricante:
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15154 Pieces
- Scheda dati:
- ALD1110ESAL.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per ALD1110ESAL, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per ALD1110ESAL via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.01V @ 1µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | EPAD® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 500 Ohm @ 5V |
| Potenza - Max: | 600mW |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | ALD1110ESAL |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2.5pF @ 5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 10V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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