AOB411L_001
AOB411L_001
Modello di prodotti:
AOB411L_001
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 8A TO263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19916 Pieces
Scheda dati:
AOB411L_001.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (D²Pak)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:16.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):187W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AOB411L_001
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6400pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 60V 8A (Ta), 78A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET P-CH 60V 8A TO263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Ta), 78A (Tc)
Email:[email protected]

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