AOB412L
AOB412L
Modello di prodotti:
AOB412L
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12887 Pieces
Scheda dati:
1.AOB412L.pdf2.AOB412L.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.8V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (D²Pak)
Serie:SDMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:15.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.6W (Ta), 150W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AOB412L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3220pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 8.2A (Ta), 60A (Tc) 2.6W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8.2A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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