APT4F120K
Modello di prodotti:
APT4F120K
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17001 Pieces
Scheda dati:
1.APT4F120K.pdf2.APT4F120K.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 500µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4.6 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):225W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:APT4F120KMI
APT4F120KMI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:APT4F120K
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1385pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1200V (1.2kV) 4A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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