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EPC2010
- Modello di prodotti:
- EPC2010
- fabbricante:
- EPC
- Descrizione:
- TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17458 Pieces
- Scheda dati:
- EPC2010.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per EPC2010, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per EPC2010 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 3mA |
|---|---|
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 25 mOhm @ 6A, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | Die |
| Altri nomi: | 917-1016-1 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | EPC2010 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 540pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 12A (Ta) Surface Mount Die |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per EPC2010
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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EPC2016C | EPC | TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2038ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2001C | EPC | TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2015CENGR | EPC | TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2015C | EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | Inchiesta |
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