APT56F60B2
APT56F60B2
Modello di prodotti:
APT56F60B2
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15475 Pieces
Scheda dati:
APT56F60B2.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:T-MAX™ [B2]
Serie:POWER MOS 8™
Rds On (max) a Id, Vgs:110 mOhm @ 28A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1040W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APT56F60B2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:280nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 60A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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