APT60N60BCSG
APT60N60BCSG
Modello di prodotti:
APT60N60BCSG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17739 Pieces
Scheda dati:
1.APT60N60BCSG.pdf2.APT60N60BCSG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.9V @ 3mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247 [B]
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:45 mOhm @ 44A, 10V
Dissipazione di potenza (max):431W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APT60N60BCSG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:190nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 60A (Tc) 431W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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