APTC60HM70T3G
Modello di prodotti:
APTC60HM70T3G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15148 Pieces
Scheda dati:
1.APTC60HM70T3G.pdf2.APTC60HM70T3G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.9V @ 2.7mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:70 mOhm @ 39A, 10V
Potenza - Max:250W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP3
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APTC60HM70T3G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:259nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP3
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:39A
Email:[email protected]

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