APTC60AM35T1G
Modello di prodotti:
APTC60AM35T1G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15393 Pieces
Scheda dati:
1.APTC60AM35T1G.pdf2.APTC60AM35T1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.9V @ 5.4mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP1
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:35 mOhm @ 72A, 10V
Potenza - Max:416W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP1
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APTC60AM35T1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:14000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:518nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP1
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:72A
Email:[email protected]

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