BSB014N04LX3 G
BSB014N04LX3 G
Modello di prodotti:
BSB014N04LX3 G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12816 Pieces
Scheda dati:
BSB014N04LX3 G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:MG-WDSON-2, CanPAK M™
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-WDSON
Altri nomi:BSB014N04LX3 G-ND
BSB014N04LX3GXUMA1
SP000597850
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:BSB014N04LX3 G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:16900pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:196nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:36A (Ta), 180A (Tc)
Email:[email protected]

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