BSO615CT
BSO615CT
Modello di prodotti:
BSO615CT
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16637 Pieces
Scheda dati:
BSO615CT.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 20µA
Contenitore dispositivo fornitore:PG-DSO-8
Serie:SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs:110 mOhm @ 3.1A, 10V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:BSO615CXTINTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
codice articolo del costruttore:BSO615CT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:380pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22.5nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.1A, 2A
Email:[email protected]

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