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BSZ042N04NS G
- Modello di prodotti:
- BSZ042N04NS G
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17920 Pieces
- Scheda dati:
- BSZ042N04NS G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BSZ042N04NS G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BSZ042N04NS G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 36µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TSDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | BSZ042N04NSGINCT BSZ042N04NSGINCT-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | BSZ042N04NS G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3700pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 40V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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