RJK0353DPA-01#J0B
RJK0353DPA-01#J0B
Modello di prodotti:
RJK0353DPA-01#J0B
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 35A 2WPACK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18406 Pieces
Scheda dati:
RJK0353DPA-01#J0B.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-WPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):40W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:RJK0353DPA-01#J0B-ND
RJK0353DPA-01#J0BTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:RJK0353DPA-01#J0B
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2180pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 35A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount 8-WPAK
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 35A 2WPACK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Ta)
Email:[email protected]

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