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BSZ100N06NSATMA1
- Modello di prodotti:
- BSZ100N06NSATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17307 Pieces
- Scheda dati:
- BSZ100N06NSATMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.3V @ 14µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TSDSON-8-FL |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 10 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 36W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | BSZ100N06NSATMA1-ND BSZ100N06NSATMA1TR SP001067006 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSZ100N06NSATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1075pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BSZ100N06NSATMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | Inchiesta |
 |
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | Inchiesta |
 |
NTR3C21NZT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 | Inchiesta |
 |
BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | Inchiesta |
 |
APTM120SK68T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 | Inchiesta |
|
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 | Inchiesta |
|
BSZ105N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | Inchiesta |
 |
RCX160N20 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 16A TO220 | Inchiesta |
 |
IXTH80N20L | IXYS | MOSFET N-CH 200V 80A TO-247 | Inchiesta |
 |
NTTD4401FR2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO | Inchiesta |
 |
IPW90R340C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A TO-247 | Inchiesta |
 |
SUD50N02-09P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 20A TO252 | Inchiesta |
 |
EPC2038 | EPC | TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE | Inchiesta |
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