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BSZ100N03LSGATMA1
- Modello di prodotti:
- BSZ100N03LSGATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14890 Pieces
- Scheda dati:
- BSZ100N03LSGATMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TSDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 10 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 30W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | BSZ100N03LS G BSZ100N03LSG BSZ100N03LSGINTR BSZ100N03LSGINTR-ND BSZ100N03LSGXT SP000304135 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSZ100N03LSGATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1500pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BSZ100N03LSGATMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
STP75NF68 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 68V 80A TO-220 | Inchiesta |
 |
BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON | Inchiesta |
 |
STS8N6LF6AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 8A 8SO | Inchiesta |
 |
APTM100SK40T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 | Inchiesta |
 |
IXTH300N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 300A TO-247 | Inchiesta |
 |
BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | Inchiesta |
 |
IRFU4105ZTRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK | Inchiesta |
 |
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 | Inchiesta |
 |
AOT460 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 85A TO-220 | Inchiesta |
 |
PHB73N06T,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 73A D2PAK | Inchiesta |
 |
SFT1350-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 19A TP-FA | Inchiesta |
 |
SI4646DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC | Inchiesta |
|
BSZ105N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | Inchiesta |
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