BSZ120P03NS3GATMA1
BSZ120P03NS3GATMA1
Modello di prodotti:
BSZ120P03NS3GATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18008 Pieces
Scheda dati:
BSZ120P03NS3GATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.1V @ 73µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TSDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:12 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 52W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:BSZ120P03NS3 G
BSZ120P03NS3 G-ND
SP000709736
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:BSZ120P03NS3GATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3360pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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