Acquistare C3M0065090D con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 2.1V @ 5mA |
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Vgs (Max): | +18V, -8V |
Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247-3 |
Serie: | C3M™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | C3M0065090D |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 600V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 30.4nC @ 15V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 900V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
Tensione drain-source (Vdss): | 900V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 36A (Tc) |
Email: | [email protected] |