C3M0065100J
Modello di prodotti:
C3M0065100J
fabbricante:
Cree
Descrizione:
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13109 Pieces
Scheda dati:
C3M0065100J.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 5mA
Vgs (Max):+15V, -4V
Tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK-7
Serie:C3M™
Rds On (max) a Id, Vgs:78 mOhm @ 20A, 15V
Dissipazione di potenza (max):113.5W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:C3M0065100J
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:660pF @ 600V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 15V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):15V
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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