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CGHV60040D
- Modello di prodotti:
- CGHV60040D
- fabbricante:
- Cree
- Descrizione:
- RF MOSFET HEMT 50V DIE
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15122 Pieces
- Scheda dati:
- CGHV60040D.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 50V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 150V |
| Tipo transistor: | HEMT |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
| Serie: | GaN |
| Alimentazione - uscita: | 40W |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | Die |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | CGHV60040D |
| Guadagno: | 17dB |
| Frequenza: | 6GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet HEMT 50V 65mA 6GHz 17dB 40W Die |
| Descrizione: | RF MOSFET HEMT 50V DIE |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 65mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CGHV60040D
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
CGHV60075D5 | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V DIE | Inchiesta |
 |
BLF6G20S-45,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608B | Inchiesta |
 |
CGHV60170D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V DIE | Inchiesta |
 |
MRF5S4140HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ NI-780 | Inchiesta |
 |
ON5258,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET RF SOT23 TO-236AB | Inchiesta |
 |
3SK293(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | FET RF 12.5V 800MHZ USQ | Inchiesta |
 |
MRF6P23190HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 | Inchiesta |
 |
2731GN-200M | Microsemi Corporation | FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP | Inchiesta |
 |
BF998WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R | Inchiesta |
 |
PTFA181001E V4 T500 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | Inchiesta |
 |
MRFG35010ANR5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF | Inchiesta |
 |
PXAC201202FCV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
|
ATF-54143-BLKG | Broadcom Limited | FET RF 5V 2GHZ SOT-343 | Inchiesta |
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