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CPMF-1200-S080B
- Modello di prodotti:
- CPMF-1200-S080B
- fabbricante:
- Cree
- Descrizione:
- MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19072 Pieces
- Scheda dati:
- CPMF-1200-S080B.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +25V, -5V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
| Serie: | Z-FET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Dissipazione di potenza (max): | 313mW (Tj) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Die |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | CPMF-1200-S080B |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1915pF @ 800V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 90.8nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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