Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > CSD16556Q5B
CSD16556Q5B
Modello di prodotti:
CSD16556Q5B
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16604 Pieces
Scheda dati:
CSD16556Q5B.pdf
Inchiesta

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per CSD16556Q5B, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per CSD16556Q5B via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare CSD16556Q5B con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.7V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-VSON (5x6)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.07 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.2W (Ta), 191W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:296-35627-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD16556Q5B
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6180pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:47nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 100A (Tc) 3.2W (Ta), 191W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per CSD16556Q5B

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
CSD16570Q5B Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Inchiesta
CSD16340Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 60A 8SON Inchiesta
CSD16413Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON Inchiesta
CSD16415Q5 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 8SON Inchiesta
CSD16411Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON Inchiesta
CSD16407Q5C Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8SON Inchiesta
CSD16321Q5C Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8SON Inchiesta
CSD16570Q5BT Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Inchiesta
CSD16322Q5 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON Inchiesta
CSD16322Q5C Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 97A 8SON Inchiesta
CSD16323Q3C Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 60A 8SON Inchiesta
CSD16323Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON Inchiesta
CSD16408Q5 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON Inchiesta
CSD16414Q5 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON Inchiesta
CSD16321Q5 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON Inchiesta
CSD16325Q5 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON Inchiesta
CSD16408Q5C Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 113A 8SON Inchiesta
CSD16325Q5C Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8SON Inchiesta
CSD16301Q2 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 6-SON Inchiesta
CSD16415Q5T Texas Instruments N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET Inchiesta

Latest Notizie