CSD16570Q5B
Modello di prodotti:
CSD16570Q5B
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14429 Pieces
Scheda dati:
CSD16570Q5B.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.9V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-VSON (5x6)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:0.59 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.2W (Ta), 195W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD16570Q5B
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:14000pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:250nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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