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CSD19536KTT
- Modello di prodotti:
- CSD19536KTT
- fabbricante:
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 200A TO263
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15588 Pieces
- Scheda dati:
- CSD19536KTT.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DDPAK/TO-263-3 |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 375W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 2 (1 Year) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | CSD19536KTT |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 12000pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 153nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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