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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > CSD19537Q3
CSD19537Q3
Modello di prodotti:
CSD19537Q3
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15877 Pieces
Scheda dati:
CSD19537Q3.pdf
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introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.6V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-VSON (3.3x3.3)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:14.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 83W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:296-44351-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD19537Q3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1680pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 50A (Ta) 2.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Ta)
Email:[email protected]

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