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CSD86330Q3D
- Modello di prodotti:
- CSD86330Q3D
- fabbricante:
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13075 Pieces
- Scheda dati:
- CSD86330Q3D.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.1V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-LSON (5x6) |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9.6 mOhm @ 14A, 8V |
| Potenza - Max: | 6W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerLDFN |
| Altri nomi: | 296-28216-2 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 25 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | CSD86330Q3D |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 920pF @ 12.5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.2nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (5x6) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
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