SI4947ADY-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI4947ADY-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14783 Pieces
Scheda dati:
SI4947ADY-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA (Min)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:80 mOhm @ 3.9A, 10V
Potenza - Max:1.2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:SI4947ADY-T1-GE3TR
SI4947ADYT1GE3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SI4947ADY-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3A 1.2W Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A
Email:[email protected]

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