CSD88539ND
Modello di prodotti:
CSD88539ND
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13361 Pieces
Scheda dati:
CSD88539ND.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.6V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:28 mOhm @ 5A, 10V
Potenza - Max:2.1W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:296-37304-2
CSD88539ND-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD88539ND
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:741pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.4nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15A
Email:[email protected]

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