SI4948BEY-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI4948BEY-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12405 Pieces
Scheda dati:
SI4948BEY-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:120 mOhm @ 3.1A, 10V
Potenza - Max:1.4W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:SI4948BEY-T1-GE3TR
SI4948BEYT1GE3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
codice articolo del costruttore:SI4948BEY-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.4A 1.4W Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.4A
Email:[email protected]

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