CTLDM303N-M832DS TR
CTLDM303N-M832DS TR
Modello di prodotti:
CTLDM303N-M832DS TR
fabbricante:
Central Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19756 Pieces
Scheda dati:
CTLDM303N-M832DS TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:TLM832DS
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:40 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Potenza - Max:1.65W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-TDFN Exposed Pad
Altri nomi:CTLDM303N-M832DS TR LEAD FREE
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:CTLDM303N-M832DS TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:590pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.65W Surface Mount TLM832DS
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.6A
Email:[email protected]

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