CTLDM3590 TR
CTLDM3590 TR
Modello di prodotti:
CTLDM3590 TR
fabbricante:
Central Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14546 Pieces
Scheda dati:
CTLDM3590 TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TLM3D6D8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):125mW (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:3-XFDFN
Altri nomi:CTLDM3590 DKR
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:CTLDM3590 TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.46nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 160mA (Ta) 125mW (Ta) Surface Mount TLM3D6D8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:160mA (Ta)
Email:[email protected]

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