CXDM3069N TR
CXDM3069N TR
Modello di prodotti:
CXDM3069N TR
fabbricante:
Central Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15112 Pieces
Scheda dati:
CXDM3069N TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.4V @ 250µA
Vgs (Max):12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-89
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:30 mOhm @ 7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.2W (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-243AA
Altri nomi:CXDM3069N DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:CXDM3069N TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:580pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 6.9A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.9A (Ta)
Email:[email protected]

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