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DMG4800LK3-13
- Modello di prodotti:
- DMG4800LK3-13
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 10A TO252
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14229 Pieces
- Scheda dati:
- DMG4800LK3-13.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.6V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 17 mOhm @ 9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.71W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | DMG4800LK3-13DITR DMG4800LK313 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DMG4800LK3-13 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 798pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.7nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 10A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 10A TO252 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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