DMHC10H170SFJ-13
DMHC10H170SFJ-13
Modello di prodotti:
DMHC10H170SFJ-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15671 Pieces
Scheda dati:
DMHC10H170SFJ-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:V-DFN5045-12
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:160 mOhm @ 5A, 10V
Potenza - Max:2.1W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:12-VDFN Exposed Pad
Altri nomi:DMHC10H170SFJ-13DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMHC10H170SFJ-13
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1167pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.7nC @ 10V
Tipo FET:2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A, 2.3A
Email:[email protected]

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