DMN2020LSN-7
DMN2020LSN-7
Modello di prodotti:
DMN2020LSN-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18295 Pieces
Scheda dati:
DMN2020LSN-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-59-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):610mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:DMN2020LSN-7DITR
DMN2020LSN7
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:DMN2020LSN-7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1149pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11.6nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 6.9A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.9A (Ta)
Email:[email protected]

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