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DMN61D8LVTQ-7
- Modello di prodotti:
- DMN61D8LVTQ-7
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14831 Pieces
- Scheda dati:
- DMN61D8LVTQ-7.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSOT-26 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.8 Ohm @ 150mA, 5V |
| Potenza - Max: | 820mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | DMN61D8LVTQ-7DITR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DMN61D8LVTQ-7 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 12.9pF @ 12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.74nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 630mA |
| Email: | [email protected] |
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