Acquistare DMN61D9U-13 con BYCHPS
Acquista con garanzia
DMN61D9U-13
- Modello di prodotti:
- DMN61D9U-13
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12169 Pieces
- Scheda dati:
- DMN61D9U-13.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per DMN61D9U-13, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per DMN61D9U-13 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-23-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2 Ohm @ 50mA, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 370mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | DMN61D9U-13DI |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DMN61D9U-13 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 28.5pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 380mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 380mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per DMN61D9U-13
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN61D9UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.34A | Inchiesta |
 |
DMN61D8LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT23 | Inchiesta |
 |
DMN61D9U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A | Inchiesta |
|
DMN61D8L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23 | Inchiesta |
 |
DMN61D9UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 | Inchiesta |
|
DMN6140L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 | Inchiesta |
 |
DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | Inchiesta |
|
DMN61D9UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | Inchiesta |
|
DMN6140L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 | Inchiesta |
|
DMN6140LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 | Inchiesta |
|
DMN61D8LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT23 | Inchiesta |
|
DMN61D9UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers