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EPC2035
EPC2035
Modello di prodotti:
EPC2035
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17794 Pieces
Scheda dati:
1.EPC2035.pdf2.EPC2035.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 800µA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:45 mOhm @ 1A, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1099-2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:EPC2035
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:115pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.15nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 1A (Ta) Surface Mount Die
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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