Acquistare EPC2036ENGRT con BYCHPS
Acquista con garanzia
EPC2036ENGRT
- Modello di prodotti:
- EPC2036ENGRT
- fabbricante:
- EPC
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12579 Pieces
- Scheda dati:
- EPC2036ENGRT.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per EPC2036ENGRT, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per EPC2036ENGRT via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 600µA |
|---|---|
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
| Serie: | * |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | Die |
| Altri nomi: | 917-EPC2036ENGRDKR |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | EPC2036ENGRT |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 90pF @ 50V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 1.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per EPC2036ENGRT
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2037ENGR | EPC | TRANS GAN 100V BUMPED DIE | Inchiesta |
 |
EPC2030ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2032ENGRT | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | Inchiesta |
 |
EPC2035 | EPC | TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2036 | EPC | TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE | Inchiesta |
 |
EPC2034 | EPC | TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2034ENGR | EPC | TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2033 | EPC | TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2030ENGRT | EPC | MOSFET NCH 40V 31A DIE | Inchiesta |
|
EPC2034ENGRT | EPC | TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2033ENGRT | EPC | TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2031ENGRT | EPC | MOSFET NCH 60V 31A DIE | Inchiesta |
|
EPC2031ENGR | EPC | TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE | Inchiesta |
 |
EPC2039ENGRT | EPC | TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2032ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | Inchiesta |
 |
EPC2038 | EPC | TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2038ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2032 | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2033ENGR | EPC | TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers