Acquistare EPC2102ENG con BYCHPS
Acquista con garanzia
Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 7mA |
---|---|
Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
Serie: | eGaN® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.4 mOhm @ 20A, 5V |
Potenza - Max: | - |
imballaggio: | Tray |
Contenitore / involucro: | Die |
Altri nomi: | 917-EPC2102ENG EPC2102ENGRH6 |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | EPC2102ENG |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 830pF @ 30V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.8nC @ 5V |
Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die |
Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
Descrizione: | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 23A |
Email: | [email protected] |