Acquistare EPC2106ENGRT con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 600µA |
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Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
Serie: | eGaN® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 70 mOhm @ 2A, 5V |
Potenza - Max: | - |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | Die |
Altri nomi: | 917-EPC2106ENGRTR |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | EPC2106ENGRT |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 75pF @ 50V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.73nC @ 5V |
Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die |
Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
Descrizione: | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.7A |
Email: | [email protected] |