FCH077N65F_F085
FCH077N65F_F085
Modello di prodotti:
FCH077N65F_F085
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16604 Pieces
Scheda dati:
FCH077N65F_F085.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247
Serie:Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
Rds On (max) a Id, Vgs:77 mOhm @ 27A, 10V
Dissipazione di potenza (max):481W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FCH077N65F_F085
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7162pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:164nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 54A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:54A (Tc)
Email:[email protected]

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