FCP11N60
Modello di prodotti:
FCP11N60
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13205 Pieces
Scheda dati:
1.FCP11N60.pdf2.FCP11N60.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:SuperFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:380 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:FCP11N60_NL
FCP11N60_NL-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FCP11N60
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1490pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:52nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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